MBR230LSFT1G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MBR230LSFT1G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1659913837
零件包裝代碼
SOD-123FL 2 LEAD
包裝說明
LEAD FREE, PLASTIC, CASE 498-01, 2 PIN
針數(shù)
2
制造商包裝代碼
498-01
Reach Compliance Code
not_compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.80
Factory Lead Time
80 weeks 1 day
風(fēng)險等級
1.15
Samacsys Description
Diode Schottky 30V 2A SOD123FL ON Semiconductor MBR230LSFT1G Schottky Diode, 2A, 30V, 2-Pin SOD-123FL
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.1
其他特性
FREE WHEELING DIODE
應(yīng)用
GENERAL PURPOSE
配置
SINGLE
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF)
0.3 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-F2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
最大非重復(fù)峰值正向電流
40 A
元件數(shù)量
1
相數(shù)
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-55 °C
最大輸出電流
2 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
最大重復(fù)峰值反向電壓
30 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
SCHOTTKY
端子面層
MATTE TIN
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
MBR230LSFT1G肖特基二極管的特性與應(yīng)用研究
引言
肖特基二極管（Schottky Diode）是一種具有特殊結(jié)構(gòu)的二極管，其主要特征為低正向壓降和快速的開關(guān)速度。MBR230LSFT1G作為一種新型肖特基二極管，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電源管理、開關(guān)電源、變頻器以及高頻通信設(shè)備等。本文將探討MBR230LSFT1G肖特基二極管的基本特性、工作原理及其在不同應(yīng)用中的表現(xiàn)。
MBR230LSFT1G的基本參數(shù)
MBR230LSFT1G是由ON Semiconductor推出的一款肖特基二極管，其額定電流可達(dá)到2A，反向耐壓可達(dá)到30V。該器件采用直插式封裝，具有良好的熱散性能和優(yōu)異的電流承載能力。其PN接合并不是通過傳統(tǒng)的P型和N型半導(dǎo)體材料形成，而是采用了金屬與半導(dǎo)體之間的接觸，這種接觸方式使得肖特基二極管具有了非常低的正向電壓降，一般在0.3V左右，相較于普通二極管的0.7V大大降低了功耗和熱量產(chǎn)生。
工作原理
肖特基二極管的工作原理與普通PN結(jié)二極管有所不同。它的結(jié)構(gòu)主要由金屬層和N型半導(dǎo)體組成。金屬層和半導(dǎo)體界面形成一個潛在障礙，當(dāng)外加電壓使金屬電位高于半導(dǎo)體電位時，電子從N型半導(dǎo)體注入到金屬層中，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。由于沒有PN結(jié)的復(fù)合過程，肖特基二極管具有更快的開關(guān)速度，這使得其在快速開關(guān)電源和高頻信號處理應(yīng)用中表現(xiàn)出極大的優(yōu)勢。
另一方面，MBR230LSFT1G的反向恢復(fù)時間極短，通常在幾十納秒以下，這使得它在高頻應(yīng)用中的表現(xiàn)尤為突出。在PWM調(diào)制技術(shù)的應(yīng)用中，該二極管能夠迅速響應(yīng)開關(guān)狀態(tài)的變化，從而提高系統(tǒng)的效率。
與其他二極管的比較
與普通的硅二極管相比，MBR230LSFT1G在電流承載能力和反向恢復(fù)時間上具有顯著的優(yōu)勢。硅二極管在工作時會出現(xiàn)較大的正向壓降和反向恢復(fù)損失，這使得它們在一些高頻和高效率的應(yīng)用中受到限制。而肖特基二極管的這些參數(shù)則能夠大大降低能量損耗，提升系統(tǒng)的整體效率。此外，肖特基二極管的溫度系數(shù)較小，意味著在高溫環(huán)境下，其性能保持更加穩(wěn)定。
肖特基二極管的反向漏電流相較于普通二極管也更大，這使得其在一些低功耗設(shè)備中并不是最佳選擇。盡管如此，在高效率、高速開關(guān)以及信號處理等應(yīng)用中，MBR230LSFT1G的優(yōu)勢得以充分體現(xiàn)。
應(yīng)用領(lǐng)域
1. 電源管理
在電源管理系統(tǒng)中，MBR230LSFT1G經(jīng)常用作整流器或續(xù)流二極管。在開關(guān)電源中，其低正向壓降能夠有效減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。此外，肖特基二極管能夠快速切換，保證電源管理系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。它們在電池充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。
2. 通信設(shè)備
在高速通信設(shè)備中，信號轉(zhuǎn)換過程對延遲的要求極高。MBR230LSFT1G的快速開關(guān)特性使其能夠滿足高速數(shù)字電路的需求。在RFID、Wi-Fi、藍(lán)牙等無線通信技術(shù)中，肖特基二極管也常被用于調(diào)制解調(diào)電路，以提高數(shù)據(jù)傳輸速率和信號質(zhì)量。
3. 汽車電子
隨著汽車電子控制系統(tǒng)的普及，MBR230LSFT1G在汽車電源管理中也占據(jù)了重要位置。從智能控制模塊到LED照明系統(tǒng)，肖特基二極管的高效率和抗干擾能力使其成為汽車電氣系統(tǒng)中的理想選擇。在電動汽車的電源和驅(qū)動系統(tǒng)中，MBR230LSFT1G同樣發(fā)揮著重要的作用。
4. 家電應(yīng)用
在家用電器中，MBR230LSFT1G作為整流元件使用于各種低功耗設(shè)備，比如小型電動設(shè)備、充電器和家用電器控制板等。低正向電壓和小體積使得肖特基二極管在這些家庭電器中的應(yīng)用得以實(shí)現(xiàn)，提升了產(chǎn)品的能效和用戶體驗(yàn)。
性能優(yōu)化研究
隨著科技的進(jìn)步，肖特基二極管在性能上也有了不斷的提升。材料的改進(jìn)和工藝的進(jìn)步使得MBR230LSFT1G在低工耗和高效率領(lǐng)域的表現(xiàn)得到優(yōu)化。例如，采用新型的金屬材料和半導(dǎo)體技術(shù)，能夠有效降低反向漏電流，提高器件的可靠性。此外，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得MBR230LSFT1G能夠在更大的溫度和電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，從而擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域。
采用先進(jìn)的封裝技術(shù)也能進(jìn)一步提高MBR230LSFT1G的散熱性能和電流承載能力。這對于在高溫環(huán)境中工作的電子設(shè)備尤其重要，能夠有效提高其工作效率和使用壽命。
未來發(fā)展趨勢
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，MBR230LSFT1G肖特基二極管將在更高頻率、更高功率和更嚴(yán)格的環(huán)境下繼續(xù)展現(xiàn)其獨(dú)特的優(yōu)勢。未來的研究將集中在材料的創(chuàng)新、制造工藝的改進(jìn)以及器件性能的進(jìn)一步提升上，這些領(lǐng)域的突破將推動肖特基二極管在智能家居、工業(yè)自動化、電動汽車等前沿領(lǐng)域的應(yīng)用，加快電子產(chǎn)品智能化進(jìn)程的步伐。此外，新型的集成電路設(shè)計(jì)也將促使肖特基二極管在微型化、高集成度領(lǐng)域的應(yīng)用不斷擴(kuò)展，帶來更廣泛的市場需求。
MBR230LSFT1G
ON(安森美)
INA240A2PWR
TOSHIBA(東芝)
PIC18F67K40-I/PT
Microchip(微芯)
ATMEGA32L-8AU
Atmel(愛特梅爾)
MBRM120LT1G
ON(安森美)
LM63615DQPWPRQ1
TI(德州儀器)
FT232BL-REEL
FTDI(飛特帝亞)
BSP752T
Infineon(英飛凌)
AO3407A
Alpha (Taiwan)
10M02SCE144C8G
ALTERA(阿爾特拉)
PI3106-00-HVMZ
Vicor Corporation
MCP2562T-E/SN
Microchip(微芯)
MOC3021M
ON(安森美)
ICL7107CPLZ
Intersil(英特矽爾)
XCF02SVO20C
XILINX(賽靈思)
ESDA6V1L
ST(意法)
LNK364PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
UPD720202K8-701-BAA-A
NEC
DSPIC30F6010A-30I/PT
MIC(昌福)
AW9523BTQR
AW(艾為)
SN74LVC3G17DCUR
TI(德州儀器)
VNQ660SPTR-E
ST(意法)
ATM90E32AS-AU-R
Atmel(愛特梅爾)
STM8S007C8T6
ST(意法)
TLV2333IDR
TI(德州儀器)
STM32H757XIH6
ST(意法)
TL074CDT
TI(德州儀器)
AD9650BCPZ-105
ADI(亞德諾)
FDMS86101
ON(安森美)
MCIMX6D6AVT08AD
Freescale(飛思卡爾)
XC3S250E-4TQG144C
XILINX(賽靈思)
XCKU15P-2FFVA1156E
XILINX(賽靈思)
QPA9501TR13
Qorvo(威訊聯(lián)合)
ADM2486BRWZ
ADI(亞德諾)
SY8008BAAC
SILERGY(矽力杰)
AD8210YRZ
ADI(亞德諾)
ADM1485ARZ
ADI(亞德諾)
AD8032ARZ
ADI(亞德諾)
MSP430F5418AIPN
TI(德州儀器)
MK10DN32VFM5
NXP(恩智浦)
AD5780ACPZ
ADI(亞德諾)
MK60FN1M0VMD12
NXP(恩智浦)
BCM3390ZKFSBG
Broadcom(博通)
LM317AMDT
TI(德州儀器)
MKL17Z64VFM4
NXP(恩智浦)
LM5575MHX
TI(德州儀器)
SAK-TC233L-32F200NAC
Infineon(英飛凌)
MAX3471EUA+
Maxim(美信)
VNH5180A
ST(意法)
MCZ33905CS5EK
NXP(恩智浦)
LM2675M-5.0/NOPB
NS(國半)
TLV320AIC3106IRGZR
TI(德州儀器)
OPA2170AIDR
TI(德州儀器)
LM2576HVT-ADJ/NOPB
TI(德州儀器)
SN74AVC8T245RHLR
TI(德州儀器)
AD9833BRMZ-REEL7
ADI(亞德諾)
DM3AT-SF-PEJM5
Hirose(廣瀨電機(jī))
LFCN-80+
Mini-Circuits
BQ27421YZFR-G1A
TI(德州儀器)
STPMIC1APQR
ST(意法)
PC28F00AP30TFA
micron(鎂光)
ATMEGA8535-16AU
Microchip(微芯)
MBR40250G
ON(安森美)
2N7002-7-F
Diodes(美臺)
FT2232D-REEL
FTDI(飛特帝亞)
MUR1560G
ON(安森美)
IPB65R110CFDA
Infineon(英飛凌)
10M08SCE144C8G
ALTERA(阿爾特拉)
TPS3808G18DBVR
TI(德州儀器)
N25Q128A11ESE40F
micron(鎂光)
LM324ADR
ON(安森美)
TJA1051TK/3
NXP(恩智浦)
ADV7511KSTZ
ADI(亞德諾)
TS5A3157DBVR
TI(德州儀器)
ACS758LCB-050U-PFF-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
TAS5630BPHDR
TI(德州儀器)
PI3302-00-LGIZ
Vicor Corporation
DM9161AEP
DAVICOM(聯(lián)杰國際)
AT32F421C8T7
CW2015CHBD
CellWise
NUD3124LT1G
ON(安森美)
SN74ACT244DWR
TI(德州儀器)
STM32L496ZGT6
ST(意法)
STH2N120K5-2AG
ST(意法)
ATXMEGA16A4U-AU
Microchip(微芯)
TC358743XBG
TOSHIBA(東芝)
MFI337S3959
China(國產(chǎn))
LPC1837JBD144E
NXP(恩智浦)
LFE5U-25F-6BG256I
Lattice(萊迪斯)
CD14538BE
Harris Semiconductor
R5F61668RN50FPV
Renesas(瑞薩)
S912XET256W1MAAR
NXP(恩智浦)
LM317AT
NS(國半)
ACPL-330J-500E
Avago(安華高)
LTC2174IUKG-14
LINEAR(凌特)
NRVUA220VT3G
ON(安森美)
HMC624ALP4E
Hittite Microwave
ADXL335BCPZ
ADI(亞德諾)
AD5412AREZ
ADI(亞德諾)
BSZ018N04LS6
Infineon(英飛凌)
AD7928BRUZ
ADI(亞德諾)
ADXL326BCPZ
ADI(亞德諾)
K4UBE3D4AB-MGCL
SAMSUNG(三星)
DS1302Z
Maxim(美信)
NCV7356D2R2G
ON(安森美)
TPS7A4901DGN
TI(德州儀器)
TLE42664G
Infineon(英飛凌)
AD8452ASTZ
ADI(亞德諾)
LMZ23610TZ
TI(德州儀器)
MCIMX7U5DVP07SC
NXP(恩智浦)
KSZ9031RNXIA-TR
Microchip(微芯)
TPS22918DBVR
TI(德州儀器)
INA220AIDGSR
TI(德州儀器)
TLV3502AIDCNR
TI(德州儀器)
MSP430F5419AIPZR
TI(德州儀器)
TPS3808G33QDBVRQ1
TI(德州儀器)
TPS61041DBVR
TI(德州儀器)
NC7S14M5X
Freescale(飛思卡爾)
