NCP603SNADJT1G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NCP603SNADJT1G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1692031044
零件包裝代碼
TSOP-5
包裝說明
TSOP-5
針數(shù)
5
制造商包裝代碼
483
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
18 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
1.32
Samacsys Description
ON SEMICONDUCTOR - NCP603SNADJT1G - Adjustable LDO Voltage Regulator, 1.75V to 6V, 375mV drop, 1.25V to 5V/300mA out, TSOP-5
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
7.1
可調(diào)性
ADJUSTABLE
最大回動(dòng)電壓 1
0.48 V
標(biāo)稱回動(dòng)電壓 1
0.375 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-G5
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
3 mm
最大電網(wǎng)調(diào)整率 (%/V)
0.19
最大負(fù)載調(diào)整率 (%)
3.6%
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
1
輸出次數(shù)
1
端子數(shù)量
5
工作溫度TJ-Max
125 °C
工作溫度TJ-Min
-40 °C
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
最大輸出電流 1
0.3 A
最大輸出電壓 1
5 V
最小輸出電壓 1
1.25 V
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TSSOP
封裝等效代碼
TSOP5/6,.11,37
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
調(diào)節(jié)器類型
ADJUSTABLE POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
座面最大高度
1.1 mm
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.95 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
寬度
1.5 mm
NCP603SNADJT1G 線性穩(wěn)壓器的應(yīng)用與需求
一、引言
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，穩(wěn)壓電源的作用不可小覷。線性穩(wěn)壓器作為一種重要的電源管理組件，以其簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)、良好的輸出穩(wěn)定性和低噪聲特性，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。NCP603SNADJT1G便是市場(chǎng)上一個(gè)常見的線性穩(wěn)壓器型號(hào)，其設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)日益增長(zhǎng)的要求。
二、線性穩(wěn)壓器的基本原理
線性穩(wěn)壓器的主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為一個(gè)固定且穩(wěn)定的輸出電壓。其基本工作原理基于反饋控制機(jī)制。輸入電壓通過調(diào)節(jié)元件（通常是一個(gè)外部晶體管）減少到目標(biāo)輸出電壓，同時(shí)通過負(fù)反饋回路監(jiān)測(cè)輸出電壓。當(dāng)輸出電壓偏離目標(biāo)值時(shí)，反饋系統(tǒng)會(huì)調(diào)整調(diào)節(jié)元件的導(dǎo)通狀態(tài)，以保證輸出電壓的穩(wěn)定。
與開關(guān)穩(wěn)壓器相比，線性穩(wěn)壓器的優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、噪聲低和輸出電壓紋波小等方面。然而，線性穩(wěn)壓器的主要缺點(diǎn)在于其效率較低，尤其是在輸入電壓遠(yuǎn)高于輸出電壓時(shí)，因此在設(shè)計(jì)時(shí)需要仔細(xì)考慮其性能與應(yīng)用場(chǎng)景。
三、NCP603SNADJT1G的產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 高輸入電壓范圍：NCP603SNADJT1G的輸入電壓范圍廣，通�？梢猿惺芨哌_(dá)30V的輸入電壓，使其適用于多種電源環(huán)境。這一特點(diǎn)使得其在應(yīng)用中更具靈活性，可以無縫適配不同的電源設(shè)計(jì)。
2. 低靜態(tài)電流：NCP603SNADJT1G具有低靜態(tài)電流的特性，這使它在待機(jī)和低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)出色，有助于延長(zhǎng)設(shè)備的電池壽命。在便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)中，這一特性尤為重要。
3. 出色的負(fù)載和線性調(diào)整率：該穩(wěn)壓器在面對(duì)負(fù)載變化時(shí)能夠維持良好的輸出穩(wěn)定性，負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率的優(yōu)良表現(xiàn)使其在高精度電源應(yīng)用中有廣泛的適用性。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能：NCP603SNADJT1G還集成了過溫保護(hù)和過流保護(hù)功能。在異常情況下，這些保護(hù)機(jī)制能夠有效防止由于過載或溫度過高導(dǎo)致的損壞，提升了電路的可靠性和安全性。
5. 封裝形式與散熱特性：該型號(hào)通常采用SOIC-8封裝，便于在緊湊的PCB設(shè)計(jì)中使用。同時(shí)，良好的熱管理特性確保了穩(wěn)定性。
四、NCP603SNADJT1G的應(yīng)用領(lǐng)域
1. 便攜式設(shè)備：在手機(jī)、平板電腦及其他移動(dòng)設(shè)備中，NCP603SNADJT1G可用于為內(nèi)部電路提供穩(wěn)定的工作電壓，其低功耗特性符合設(shè)備對(duì)續(xù)航的要求。
2. 工業(yè)設(shè)備：在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中，該線性穩(wěn)壓器可用于電源模塊，為傳感器和控制器提供穩(wěn)定的電壓，保證設(shè)備在惡劣環(huán)境下的正常運(yùn)行。
3. 汽車電子：汽車中大量使用電子控制單元（ECU），要求電源的穩(wěn)定和可靠性。NCP603SNADJT1G能夠有效適應(yīng)汽車電源的波動(dòng)，確保車載電子設(shè)備的正常工作。
4. 通信設(shè)備：在通信基站和其他網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，穩(wěn)壓電源的需求同樣重要。NCP603SNADJT1G以其良好的濾波能力和低噪聲特性，能夠有效提高通信信號(hào)的質(zhì)量。
5. 醫(yī)療設(shè)備：醫(yī)療電子設(shè)備對(duì)電源的可靠性和穩(wěn)定性有著極高的要求，NCP603SNADJT1G憑借其高精度的輸出特性和保護(hù)機(jī)制，成為許多醫(yī)療設(shè)備中的首選電源解決方案。
五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在使用NCP603SNADJT1G時(shí)，設(shè)計(jì)工程師需要關(guān)注幾個(gè)關(guān)鍵因素。首先，在選擇輸入電壓時(shí)，應(yīng)確保輸入電壓在其額定范圍內(nèi)，以避免損壞元件。其次，負(fù)載電流的設(shè)計(jì)要在NCP603SNADJT1G的最大輸出電流限制內(nèi)，以保證穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性。此外，輸入和輸出電容的選擇也極為重要，通常需要根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)，確保良好的濾波效果和穩(wěn)定性。
對(duì)于電路板的布局，工程師應(yīng)盡量將NCP603SNADJT1G與其他高頻信號(hào)電路隔離，以降低交叉干擾。良好的散熱設(shè)計(jì)同樣必要，尤其是在高功率應(yīng)用中，適當(dāng)?shù)纳峁芾砟軌虼蟠筇岣呦到y(tǒng)的可靠性。
六、結(jié)束語(yǔ)
NCP603SNADJT1G線性穩(wěn)壓器憑借其優(yōu)良的性能和靈活的應(yīng)用范圍，在眾多電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用需求的不斷提高，線性穩(wěn)壓器在智能設(shè)備、工業(yè)控制、汽車電子及醫(yī)療儀器等領(lǐng)域的作用將愈發(fā)重要。隨著市場(chǎng)的不斷演變，NCP603SNADJT1G將面臨更多的應(yīng)用挑戰(zhàn)，同時(shí)也將為其相關(guān)的設(shè)計(jì)和開發(fā)帶來新的機(jī)遇。
NCP603SNADJT1G
ON(安森美)
ZED-F9P-02B-00
U-BLOX(優(yōu)北羅)
ADM7170ACPZ-1.8-R7
ADI(亞德諾)
ATXMEGA128A3U-AUR
Atmel(愛特梅爾)
CD74HC4050M96
TI(德州儀器)
ES1G
Vishay(威世)
ESDCAN02-2BWY
ST(意法)
A1326LUA-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
DS26C31TMX/NOPB
NS(國(guó)半)
LM25184QNGURQ1
TI(德州儀器)
MCP1825S-3302E/DB
Microchip(微芯)
PIC32MX795F512LT-80I/PT
Microchip(微芯)
88E6131-B2-LAR1I000
Marvell(美滿)
HHM1595A1
TDK(東電化)
ISP762T
Infineon(英飛凌)
LM7322MME/NOPB
TI(德州儀器)
LP38501TSX-ADJ/NOPB
NS(國(guó)半)
NSQA6V8AW5T2G
ON(安森美)
STL105N4LF7AG
ST(意法)
AD7124-4BCPZ-RL7
ADI(亞德諾)
AM26LV32EMDREP
TI(德州儀器)
INA202AIDGKR
TI(德州儀器)
LT1112S8#TRPBF
LINEAR(凌特)
MAX3221EIDBR
TI(德州儀器)
ADR02BRZ-REEL7
ADI(亞德諾)
LT1964ES5-SD#TRMPBF
LINEAR(凌特)
CY62187EV30LL-55BAXI
Cypress(賽普拉斯)
IRF9358TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
LFCG-2250+
Mini-Circuits
MMBZ15VALT1G
ON(安森美)
SGM4157YC6/TR
SGMICRO(圣邦微)
SPD06N80C3
Infineon(英飛凌)
TCA9406DCTR
TI(德州儀器)
AD9684BBPZ-500
ADI(亞德諾)
ADP150AUJZ-1.8-R7
ADI(亞德諾)
IS42S16400J-7TLI-TR
ISSI(美國(guó)芯成)
LM348DR
TI(德州儀器)
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
micron(鎂光)
PZ3D4V2H
WILLSEMI(韋爾)
SBC817-25LT1G
ON(安森美)
SN74AVCH1T45DBVR
TI(德州儀器)
TS861ILT
ST(意法)
AD8236ARMZ
ADI(亞德諾)
AD9517-3ABCPZ
ADI(亞德諾)
AT27C020-90JU
Microchip(微芯)
LM339DTBR2G
ON(安森美)
OPA2374AIDCNR
TI(德州儀器)
REF3125AIDBZT
TI(德州儀器)
ZL38063LDG1
Microsemi(美高森美)
BA4558F-E2
Rohm(羅姆)
BZX84C6V2LT1G
ON(安森美)
EC2-5NU
NEC
GRM21BR61A476ME15L
MURATA(村田)
KTY81-210
Philips(飛利浦)
MKM34Z128ACLL5R
NXP(恩智浦)
PIC16F1503T-I/MG
Microchip(微芯)
TOP245PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TOP254PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
UCC27710DR
TI(德州儀器)
AD581JH
ADI(亞德諾)
CY7B923-JXI
Cypress(賽普拉斯)
DMP4065S-7
Diodes(美臺(tái))
DS1307+
Maxim(美信)
NCP553SQ33T1G
ON(安森美)
SN65HVD1782QDRQ1
TI(德州儀器)
SZP6SMB36CAT3G
Littelfuse(力特)
TMP101NA/3K
TI(德州儀器)
ADM7150ACPZ-5.0-R2
ADI(亞德諾)
ATTINY25-20SSU
Atmel(愛特梅爾)
BSS123NH6327
Infineon(英飛凌)
FQPF13N50C
Fairchild(飛兆/仙童)
IN4007
China(國(guó)產(chǎn))
MAX3085EESA+T
Maxim(美信)
NL17SZ04DFT2G
ON(安森美)
SIP32431DNP3-T1GE4
Vishay(威世)
BAS70-06
Infineon(英飛凌)
BC807-40W
Philips(飛利浦)
BC856A
LRC(樂山無線電)
DSPIC30F4012-30I/SO
Microchip(微芯)
HMC595AETR
Hittite Microwave
KSZ8997
Micrel(麥瑞)
LTM4675IY#PBF
ADI(亞德諾)
MAX803SEXR+T
Maxim(美信)
MTFC64GAPALBH-AIT
micron(鎂光)
NCP781BMN033TAG
ON(安森美)
SBB-1089Z
RFMD
STC12C5A60S2
STC(宏晶)
SURA8160T3G
ON(安森美)
TJA1055T/CM
NXP(恩智浦)
TPS3430WQDRCRQ1
TI(德州儀器)
ZRC250F01TA
Zetex Semiconductors
AD5592RBCPZ-1-RL7
ADI(亞德諾)
CAHCT1G126QDCKRQ1
TI(德州儀器)
DAC8043U
TI(德州儀器)
FPF2163
ON(安森美)
LP2985-30DBVR
TI(德州儀器)
MIC2288YD5-TR
Micrel(麥瑞)
NCP718BSN330T1G
ON(安森美)
NTZD3155CT1G
ON(安森美)
OPT3001IDNPRQ1
Vishay(威世)
PIC12F1840-E/SN
Microchip(微芯)
QPC6044TR13
Qorvo(威訊聯(lián)合)
S912XEP100W1MALR
NXP(恩智浦)
SMI230
Bosch(博世)
SN74AHCT1G04DCKR
TI(德州儀器)
STPS30M100DJF-TR
ST(意法)
T491B106K016AT
AVX(京瓷)
XAL5030-222MEC
Coilcraft(線藝)
24AA04T-I/OT
Microchip(微芯)
71439-0164
Molex(莫仕)
AP2204K-5.0TRG1
Diodes(美臺(tái))
HC32L130F8UA-QFN32TR
HDSC（華大）
IR38063MTRPBF
IR(國(guó)際整流器)
